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一款是“IRHLNM87Y20SCS”

2020-01-22 0人读过
国际整流器公司(International Rectifier,IR)推出了两款具备100kRads(Si)抗辐射性的功率MOSFET。一款是“IRHLNM87Y20SCS”,采用外形尺寸仅为7.75mm×5.08mm×2.69mm的SMD0.2封装,与原来的SMD0.5封装产品相比,封装面积减小了50%。另一款产品是采用TO- 9封装的“IRHLF87Y20SCS”。两款新产品的耐压均为+20V,都是n通道产品,主要用于配备在航天设备和人造卫星上的POL(Point Of Load,负载点)转换器。

新产品采用IR公司自主开发的“R8”技术制造。开关控制支持+5V的CMOS/TTL级信号。IRHLNM87Y20SCS的连续漏电流为18A,导通电阻在栅源间电压为+4.5V时为15mΩ(最大值)、7.0V时为14mΩ(最大值),总栅极电荷为24nC(最大值),输入容量为2 6pF(标称值),输出容量为596pF(标称值),反馈电容为147pF(标称值),栅极电阻为0.76Ω(标称值)。IRHLF87Y20SCS的连续漏电流为12A,导通电阻在栅源间电压为+4.5V时为 2mΩ(最大值)、7.0V时为 1mΩ(最大值),总栅极电荷为27nC(最大值),输入容量为24 1pF(标称值),输出容量为592pF(标称值),反馈电容为14 pF(标称值),栅极电阻为0.94Ω(标称值)。

封装热阻(接合部与源极之间)方面,SMD0.2封装产品为 .5℃/W(最大值)、TO- 9封装产品为8.0℃/W(最大值)。两款产品的工作接合部温度范围均为-55~+150℃。购买250个时的美国市场参考单价方面,两款产品均为594美元。现已开始量产。安阳白癜风医院哪家好
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